#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
NTD12N10 |
文档 |
Multiple Devices 20/Aug/2008 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 165 mOhm @ 6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 20nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 550pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.28W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
NTD12N10T4也可以通过以下分类找到
NTD12N10T4相关搜索
咨询QQ
热线电话